Semiconductor

ฟูจิตสึพัฒนาเครื่องชาร์จ GaN สร้างที่ชาร์จ 12W ขนาดเล็กที่สุดในโลก

By: lew
Writer
on Wed, 09/12/2015 - 13:53

Fujitsu Laboratories ประกาศความสำเร็จในการพัฒนาเครื่องชาร์จที่ใช้ทรานซิสเตอร์ gallium nitride (GaN) สร้างเครื่องชาร์จจ่ายพลังงาน 12 วัตต์ ที่ขนาดเล็กเท่าๆ กับที่ชาร์จไอโฟน (ซึ่งจ่ายพลังงาน 5 วัตต์เท่านั้น)

ตัวเครื่องชาร์จมีปริมาตร 15.6 ลูกบาศก์เซนติเมตร ประสิทธิภาพสูงสุด 87% เมื่อจ่ายพลังงาน 3 วัตต์ และลดลงเหลือ 80% เมื่อจ่ายพลังงาน 12 วัตต์

กำลังไฟ 12 วัตต์เพียงพอสำหรับการชาร์จแท็บเล็ตหรือชาร์จเร็วสำหรับโทรศัพท์มือถือ

GaN มีความได้เปรียบวัสดุอื่นๆ ที่ทรานซิสเตอร์จะทำงานที่ความต่างศักย์สูงกว่าทรานซิสเตอร์อื่นๆ เช่น ซิลิกอน หรือแกลเลียมอาร์เซไนด์

ไอบีเอ็มผลิตทรานซิสเตอร์ขนาด 9 นาโนเมตรสำเร็จด้วย Carbon Nanotube

By: lew
Writer
on Sun, 29/01/2012 - 07:20

ขณะที่เรารู้ว่าเทคโนโลยีซิลิกอนนั้นมีข้อจำกัดทำให้ไม่สามารถลดขนาดการผลิตลงไปได้มากกว่านี้มากนัก แต่ทางออกจากซิลิกอนในวันนี้ก็ยังไม่มีทางไหนที่เป็นความหวังที่ชัดเจน ล่าสุดไอบีเอ็มก็ประกาศความสำเร็จในการพัฒนาทรานซิสเตอร์ด้วยท่อคาร์บอนนาโน (carbon nanotube) ทำให้ได้ทรานซิสเตอร์ขนาดเพียง 9 นาโนเมตรเท่านั้น

คุณสมบัติของท่อคาร์บอนนาโนเมื่อนำมาทำเป็นทรานซิสเตอร์นั้นทำให้ได้ทรานซิสเตอร์ที่กินพลังงานต่ำกว่าและรองรับกระแสได้มากกว่า ในแง่ของการออกแบบชิปแล้วการใช้ท่อคาร์บอนนาโนจะทำให้การออกแบบชิปโดยรวมทำได้ง่ายขึ้นและชิปกินพลังงานต่ำลง

บริษัทจากเบลเยียมสร้างซีพียูอินทรีย์

By: lew
Writer
on Sat, 26/02/2011 - 02:43

ที่งาน ISSCC 2011 ปีนี้นอกจากบริษัทซีพียูจะมาแสดงผลงานการออกแบบสถาปัตยกรรมใหม่ๆ กันแล้ว บริษัทสัญชาติเบลเยียมอย่าง IMEC ก็มาสาธิตการใช้สารอินทรีย์ (organic) มาสร้างซีพียู 8 บิตขนาด 4000 ทรานซิสเตอร์

ข้อดีของการใช้สารอินทรีย์สร้างวงจรเหล่านี้แทนการใช้สารกึ่งตัวนำคือ สารอินทรีย์เหล่านี้ไม่อยู่ในสภาวะผลึกทำให้เราสามารถบิดงอวงจรเหล่านี้ได้

ทรานซิสเตอร์: กราฟีนหรือจะสู้ Molybdenite

By: mementototem
Writer
on Tue, 01/02/2011 - 19:09

Molybdenite (MoS2) เป็นสารกึ่งตัวนำชนิดหนึ่ง ที่พบมากในธรรมชาติ มันถูกใช้เป็นองค์ประกอบในการผลิตเหล็กอัลลอยส์ และสารหล่อลื่น แต่กลับไม่มีใครศึกษามันในด้านอิเล็กทรอนิกส์มากนัก จน Prof. Andras Kis, M. Radisavljevic, Prof. Radenovic และ M. Brivio ที่ทำงานในแล็ป LANES ของสถาบัน EPFL ได้ทำการศึกษามัน แล้วพบว่ามันเป็นสารกึ่งตัวนำที่ทรงประสิทธิภาพมากตัวนึงเลยทีเดียว

ไอบีเอ็มจะใช้ประโยชน์จากดีเอ็นเอเพื่อพัฒนาชิปในอนาคต

By: nuntawat
Writer
on Tue, 08/09/2009 - 06:05

เมื่อวันที่ 17 ส.ค.ที่ผ่านมา นักวิจัยจากไอบีเอ็ม คุณ Paul W.K. Rothemund ได้เปิดเผยวิธีการจัดเรียงโครงสร้างดีเอ็นเอบนพื้นผิว ซึ่งเข้ากันได้กับการผลิตสารกึ่งตัวนำ (semiconductor) ในปัจจุบัน

โดยคุณ Spike Narayan ผู้จัดการแผนกวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีของไอบีเอ็มรีเสิร์ชได้กล่าวว่า "ค่าใช้จ่ายที่เกิดขึ้นจากการลดขนาดชิปเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพเป็นปัจจัยจำกัด (limiting factor) ที่จะรักษากฏของมัวร์ไว้"

Subscribe to RSS - Semiconductor