ไอบีเอ็มผลิตทรานซิสเตอร์ขนาด 9 นาโนเมตรสำเร็จด้วย Carbon Nanotube

By: lew
Writer
on Sun, 29/01/2012 - 07:20

ขณะที่เรารู้ว่าเทคโนโลยีซิลิกอนนั้นมีข้อจำกัดทำให้ไม่สามารถลดขนาดการผลิตลงไปได้มากกว่านี้มากนัก แต่ทางออกจากซิลิกอนในวันนี้ก็ยังไม่มีทางไหนที่เป็นความหวังที่ชัดเจน ล่าสุดไอบีเอ็มก็ประกาศความสำเร็จในการพัฒนาทรานซิสเตอร์ด้วยท่อคาร์บอนนาโน (carbon nanotube) ทำให้ได้ทรานซิสเตอร์ขนาดเพียง 9 นาโนเมตรเท่านั้น

คุณสมบัติของท่อคาร์บอนนาโนเมื่อนำมาทำเป็นทรานซิสเตอร์นั้นทำให้ได้ทรานซิสเตอร์ที่กินพลังงานต่ำกว่าและรองรับกระแสได้มากกว่า ในแง่ของการออกแบบชิปแล้วการใช้ท่อคาร์บอนนาโนจะทำให้การออกแบบชิปโดยรวมทำได้ง่ายขึ้นและชิปกินพลังงานต่ำลง

แต่แม้ว่าท่อคาร์บอนนาโนจะแสดงคุณสมบัติที่ดีกว่าหลายๆ อย่างแต่ก่อนหน้านี้มันยังใช้เพียงแสดงคุณสมบัติด้วยกระบวนการผลิตในขนาดเดียวกับซิลิกอนเท่านั้น งานวิจัยของไอบีเอ็มครั้งนี้เป็นการแสดงให้เห็นว่าเป็นไปได้ที่ท่อคาร์บอนนาโนจะผ่านกำแพง 10 นาโนเมตรซึ่งเชื่อกันว่าเทคโนโลยีซิลิกอนจะไม่สามารถผลิตชิปด้วยลายวงจรที่เล็กกว่านี้ได้

ปัญหาสำคัญของท่อคาร์บอนนาโนคือกระบวนการผลิต ที่นักวิจัยต้องหาทางผลิตวงจรที่ใช้ท่อคาร์บอนนาโนร่วมกับท่อธาตูกลุ่มโลหะล้วนๆ โดยไม่ต้องพึ่งซิลิกอน และกระบวนการวางท่อคาร์บอนนาโนจำนวนมากๆ ด้วยความแม่นยำสูงเพื่อผลิตชิป

ที่มา - Technology Review

4 Comments

echo's picture

ทำได้แต่ไม่เสถียรนินา ที่อุณหภูมิห้องต้องขนาด 18 นาโนไม่ใช่หรอ

hisoft's picture

รายละเอียดจากตรงไหนเหรอครับผมหาไม่เจอ

The Phantom Thief