IBM ตรวจวัดพฤติกรรมของอะตอมได้ระดับนาโนวินาทีแล้ว

By: lew
Writer
on Mon, 27/09/2010 - 23:25

ไอบีเอ็มกำลังตีพิมพ์รายงานแสดงความสำเร็จของเทคนิคการตรวจวัดพฤติกรรมอะตอมแบบใหม่ที่ชื่อว่า Pulsed STM (Pulsed Scanning Tunneling Microscopes) ที่ทำให้นักวิจัยสามารถวัดพฤติกรรมอะตอมแต่ละอะตอมได้ที่ความละเอียดระดับนาโนวินาที

ที่ความละเอียด (ในเชิงเวลา) ระดับนี้จะเป็นการเปิดโลกงานวิจัยใหม่ๆ ที่นักวิจัยสามารถตรวจสอบพฤติกรรมที่เปลี่ยนไปตามช่วงเวลาอย่างที่ไม่เคยทำได้ เช่น DRAM ที่อะตอมมีการคายประจุจนต้องชาร์จเข้าไปใหม่ ด้วย Pulsed STM นี้นักวิจัยสามารถบอกได้ว่าที่พฤติกรรมระดับอะตอมแล้วตัวอะตอมจะคายประจุในเวลาเท่าใด ซึ่งจากการวัดก็ได้เวลาคายประจุที่ 250 นาโนวินาที หรือน้อยกว่า DRAM ที่ใช้เวลาคายประจุ 50 มิลลิวินาทีอยู่ 200,000 เท่า (เพราะ DRAM ประกอบด้วยอะตอมจำนวนมาก)

กล้องจุลทรรศน์แบบ STM นั้นประดิษฐ์ขึ้นในห้องวิจัยของ IBM เช่นกันและทำให้ผู้พัฒนาคือ Gerd Binnig และ Heinrich Rohrer ได้รับรางวัลโนเบลมาแล้ว

ที่มา - ZDNet

5 Comments

hisoft's picture
  • กล้องจุทรรศน์แบบ STM

กล้องจุลทรรศน์ครับ

อีกไม่นานเราคงเข้าสู่โลกของควากส์กันแล้วสินะ

The Phantom Thief

neizod's picture

ควากซ์นี้ยากอยู่แฮะ เพราะดันอยู่เดี่ยวๆ ไม่ได้ ต้องจับกลุ่มกันอยู่เรื่อยเลย

ทึ่งกับนักฟิสิกส์สมัยนี้จริงๆ ไปถึงไหนต่อไหนละ ผมยังทำให้ 1+1=2 อยู่เลย ^__^

sdh's picture

ได้เวลาคายประจุที่ 250 นาโนวินาที หรือ 200,000 เท่าของการคายประจุ DRAM

อ่านแล้วเข้าใจว่า 250ns นี่เป็นสองแสนเท่าของเวลาที่ DRAM ใช้ แต่ตามข่าวคือ DRAM ต้องการ refresh rate ที่ 50ms ดังนั้นถ้าจะทำ DRAM ในระดับอะตอมจะต้องรีเฟรชให้เร็วกว่านั้นสองแสนเท่า อย่างนั้นกระมังครับ

sdh's picture

ขอบคุณครับ แต่อีกนิด เป็น 50 มิลลิวินาทีครับไม่ใช่ไมโครวินาที