พานาโซนิคพัฒนาทรานซิสเตอร์ที่มีค่า Breakdown สูง

Submitted by Mr.JoH on Fri, 14/12/2007 - 11:14
in

พานาโซนิคประกาศพัฒนา ทรานซิสเตอร์ที่มีส่วนกระกอบของ Galiium Nitride (GaN) ซึ่งมีค่า breakdown สูงกว่า 10000 โวลต์ ซึ่งค่า breakdown ดังกล่าวมากกว่าค่าสูงสุดที่เคยมีมากว่า 5 เท่า และสามารถนำไปประยุกต์กับงานที่ต้องใช้ความต่างศักย์สูงมากๆ หรือใช้กับสวิตซ์ที่สูญเสียพลังงานต่ำ

Breakdown สูงๆ

Submitted by Lancaster (not verified) on Fri, 14/12/2007 - 16:43.#174

Breakdown สูงๆ หมายความว่ามันทนแรงดันไฟได้สูงรึเปล่าครับ

--------Breakdown

Submitted by ploysics (not verified) on Tue, 18/12/2007 - 11:49.#175

--------Breakdown สูงๆ หมายความว่ามันทนแรงดันไฟได้สูงรึเปล่าครับ ------

ประมาณนั้นแหละ แต่จริงๆต้องบอกว่า ทนแรงดันย้อนกลับ ได้สูงๆ